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    電容電壓特性測試儀

    簡要描述:作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。

    • 產品型號:
    • 廠商性質:生產廠家
    • 更新時間:2025-06-04
    • 訪  問  量:4291
    詳情介紹

     

    作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。

    是測試頻率為1MHz的智能化數字的電容測試儀器,于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,也可測試其它電容。

    面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài),用數碼管組成的顯示板,將被測元件的數值,小數點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率,電容量是四位讀數,可分辮到0.01pF,偏置電壓分辨力為0.1V,漏電流分辨力為0.01uA

    儀器配有CV-2000型測量座,接插元件靈活,方便可靠。

    技術指標

    測試信號頻率 1.000MHz±0.01%

    測試信號電壓小于或等于100mVrms

    電容測量范圍 1.00pF1000pF

    工作誤差±3.0%±2

    直流偏壓 zui大100V

    供電電源交流電壓:220V±5%;
     頻率: 50Hz±5%;
     消耗功率:不大于40W;

    工作環(huán)境溫度:0—40℃;
     濕度:20%~90%RH 40℃;

     

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