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儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點
測量范圍
電阻率：10-5～105 Ω.cm(可擴展)；
方塊電阻：10-4～106 Ω/□(可擴展)；
電導率：10-5～105 s/cm；
電阻：10-5～105 Ω；
恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續可調
數字電壓表
量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、超量程自動顯示；
基本指標
間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
